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電子デバイスや光デバイスの多くは、何らかの基板結晶上に成長したエピタキシャル結晶を利用して作製される。その技術的背景として、分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法に代表される結晶成長技術の革新的な進歩があり、これら技術を理解することがデバイスの理解に必要不可欠である。本特論では、ナノスケールで制御された量子井戸構造やヘテロ界面の形成に不可欠な成長技術とエピタキシャル結晶の構造・物性・評価方法、さらにデバイス作製のプロセス技術の基礎知識を身につける。